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產(chǎn)品參考圖片
IRF1902GTRPBF 圖片
IRF1902GTRPBF
  • 制造廠商:IR(國際整流器公司)
  • 類別封裝:單端場效應管,8-SO
  • 技術參數(shù):MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
  • (專注銷售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨。
  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
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    技術參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IRF1902GTRPBF
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.2A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):85 毫歐 @ 4A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):310pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:8-SO
  • 現(xiàn)在可以訂購IRF1902GTRPBF,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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