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IR代理商 > > IR芯片 > > IRF630NSTRRPBF
產(chǎn)品參考圖片
IRF630NSTRRPBF 圖片
IRF630NSTRRPBF
  • 制造廠商:IR(國際整流器公司)
  • 類別封裝:單端場效應(yīng)管,D2PAK
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IRF630NSTRRPBF
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9.3A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):300 毫歐 @ 5.4A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):35nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):575pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:82W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK
  • 現(xiàn)在可以訂購IRF630NSTRRPBF,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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