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IRF6662TR1PBF
制造廠商：IR（國際整流器公司）
類別封裝：單端場效應(yīng)管，DIRECTFET
技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
（專注銷售IR電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
技術(shù)參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：IRF6662TR1PBF制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET系列：HEXFETFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.3A（Ta），47A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 8.2A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1360pF @ 25V功率 - 最大值：2.8W安裝類型：表面貼裝產(chǎn)品封裝：DirectFET 等容 MZ供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MZ現(xiàn)在可以訂購IRF6662TR1PBF，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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