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產(chǎn)品參考圖片
IRFH7911TR2PBF 圖片
IRFH7911TR2PBF
  • 制造廠商:IR(國際整流器公司)
  • 類別封裝:場效應(yīng)管陣列,PQFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
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  • (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購)
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IRFH7911TR2PBF
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):13A,28A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):8.6 毫歐 @ 12A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):12nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1060pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:2.4W,3.4W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:18-PowerVQFN
  • 供應(yīng)商器件封裝:PQFN(5x6)
  • 現(xiàn)在可以訂購IRFH7911TR2PBF,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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