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IR代理商 > > IR芯片 > > IRFHM830TR2PBF
產(chǎn)品參考圖片
IRFHM830TR2PBF 圖片
IRFHM830TR2PBF
  • 制造廠商:IR(國(guó)際整流器公司)
  • 類別封裝:單端場(chǎng)效應(yīng)管,PQFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  • (專注銷售IR電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
  • (您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu))
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IRFHM830TR2PBF
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購(gòu)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):21A(Ta),40A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 50μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):31nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2155pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.7W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:8-VQFN 裸露焊盤(pán)
  • 供應(yīng)商器件封裝:PQFN(3x3)
  • 現(xiàn)在可以訂購(gòu)IRFHM830TR2PBF,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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