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產(chǎn)品參考圖片
IRFHM830TR2PBF 圖片
IRFHM830TR2PBF
  • 制造廠商:IR(國際整流器公司)
  • 類別封裝:單端場效應(yīng)管,PQFN
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IRFHM830TR2PBF
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):21A(Ta),40A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 50μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):31nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2155pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.7W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:8-VQFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封裝:PQFN(3x3)
  • 現(xiàn)在可以訂購IRFHM830TR2PBF,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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