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產(chǎn)品參考圖片

IRFHS8342TR2PBF

制造廠商：IR（國際整流器公司）

類別封裝：單端場效應管，6-PQFN

技術參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

（專注銷售IR電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�

（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）

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技術參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號：IRFHS8342TR2PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.8A（Ta），19A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 8.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.7nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：600pF @ 25V

功率 - 最大值：2.1W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：6-PowerVQFN

供應商器件封裝：6-PQFN（2x2）

現(xiàn)在可以訂購IRFHS8342TR2PBF，國內庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內發(fā)貨。

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